全球三大存储芯片厂商正式开启第四代高带宽内存（HBM4）良率攻坚战。此前通用DRAM涨价为存储企业业绩提供支撑，但如今其涨幅已然放缓，各家企业试图拉高高利润率HBM产品竞争力，以此最大化经营收益。 业内消息显示，三星电子、SK海力士、美光三大存储巨头均在推行HBM4良率提升战略。三家企业里，三星电子最先实现HBM4量产，随着产线转入大规模生产阶段，良率提升速度十分可观。业内部分观点认为，三星HBM4良率已提升至70%左右。SK海力士暂未对外披露HBM4具体良率数值，但行业普遍判断其良率也已步入稳定区间。半导体设备行业高层人士透露：“SK海力士正筹备追加设备采购以扩充HBM4产能，此举主要为改善良率、提升产品供货量。”美光在产能规模上不及韩国两家存储厂商，正因如此，美光正全力提速良率改善与产能扩张。据悉美光已启动大规模设备投资，同步推进良率提升与产能爬坡。